Les chercheurs de l’université d’Illinois viennent de battre leur propre record du transistor le plus rapide au monde, avec une fréquence de 509 GHz sur un transistor gravé en 0.075µ. En janvier dernier, les mêmes chercheurs avaient déjà atteint 382 GHz (en 0.15µ), puis 452 GHz en Mai (en 0.125µ). Cette fréquence à notamment pu être atteinte en fabriquant ce transistor à base de phosphure d’indium et d’arséniure de gallium et d’indium et non pas de silicium et de germanium. Le but de ces chercheurs est d’atteindre au plus vite la vitesse du TeraHertz (un millier de GHz).

Les grands fabricants travaillent bien entendu également sur de telles fréquences. Ainsi, Intel et AMD avaient annoncé avoir mis au point (et non pas fabriqué comme c’est le cas ici) des transistors qui pourraient attendre respectivement 1 TeraHertz et 3 TeraHertz, les technologies permettant de les fabriquer étant respectivement prévues pour 2005 et 2009.

Reste qu’on n’est pas prêt d’avoir des processeurs fonctionnant à ces fréquences (20 ans ?), car si il est « aisé » d’atteindre des dizaines et centaines de GHz avec un seul transistor, c’est loin d’être le cas lorsqu’il s’agit de l’ensemble des millions de transistors constituant un CPU qui doit être produit en volume avec un taux de rebuts bas et un prix de revient le plus faible possible afin d’être compétitif.

source: PC Inpact