Après avoir débuté les tests en septembre, Intel annonce avoir gravé ses premières puces de 4 Mbits de SRAM avec sa nouvelle technologie de gravure en 0.065µ. La mise au point de cette technologie de gravure se fait actuellement dans l’usine de développement D1D de Hillsboro.
La montée en puissance du 0.065µ dans l’usine D1D ainsi que son transfert dans les autres usines Intel travaillant sur des wafers de 300mm de diamètre est prévue pour 2005. Le premier processeur utilisant cette finesse de gravure devrait être le Tejas, qui sera la dernière évolution de l’architecture NetBurst introduite avec le Pentium 4.
